扩散工艺相关论文
晶体硅太阳能电池近年来得到了广泛的应用，由于其生长过程的不同，分为单晶硅、多晶硅两种结构，而制作电池片的核心工序为磷扩散。多晶......
本文介绍镓扩散工艺石英管内壁沉积物形成原因,沉积物的光谱分析和电子探针分析,沉积物对扩散的影响和采取的措施。
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为了降低具有卓越永磁性的Nd-Fe-B磁体的制造成本,使之更快得到推广使用,本文研究了采用还原—扩散工艺路线,直接用Nd_2O_3作为原......
本文采用光弹力学中的Ｓｅｎａｒｍｏｎｔ补偿法，用红外光弹仪测量并分析了单面扩散、双面扩散工艺在硅衬底中引入应力的分布规律及产生机理。研究了双......
针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺，对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管（ＧＴＲ）的三重扩散工艺进行了模拟......
本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新......
垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。文章报道一种利用Ｚｎ扩散工艺......
就现行P型杂质扩散工艺的不足，进行了开旮铝镓掺杂技术的研究。经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功，具有先进性和实用性，可明显地......
通过醇盐水解制备ＴｉＯ２微粉并用厚膜工艺制备氧敏传感器；用专门造孔技术增加了厚膜敏感体中的孔隙率；用液相掺杂热扩散工艺对多孔敏感膜进......
本文对知名的集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４进行了较仔细的校验，用ＳＳＵＰＲＥＭ４模拟了氧化、扩散工艺，并同实验值进行了比较，模拟值和实验值的偏差在１０％以内，与......
采用集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４ 模拟了氧化、扩散工艺， 并同实验值进行了比较，模拟值和实验值的偏差在１０％ 以内。与集成电路器件模拟软件Ｓ－ＰＩＳＣＥＳ联......
使用硼铝二氧化硅乳胶源研制出反向快恢复整流二极管，其反向恢复时间ｔｒｒ≤５μｓ，反向耐压＞１０００Ｖ。介绍了该器件的结构特点及扩散工艺。
The use ......
利用高分辨率超声扫描显微成像检测技术对钛合金扩散连接界面的微缺陷分布进行研究 ,从而得到有关扩散界面微观完整性的定量信息 ,......
为了生产出高压大电流快速晶闸管,我们采用了先进的金扩散工艺,精确地控制载流子寿命,调整n_B层中金的剖面分布,并对晶闸管长基区......
铌或钒芯与铜—锡或铜—镓合金基体之间经固态扩散反应可以形成A—15型Mb_3Sn和V_3Ga超导化合物。这种所谓的复合扩散工艺(青铜法......
钢铁件在高温中极易氧化烧损,所以用A3钢板制成的退火包(炉胆直径780mm、高1850mm、厚12～14mm)长期处在900℃的高温中,经常氧化烧......
热扩散工艺可生成持久、致密、耐磨损的涂层，该涂层与刀具和模具形成冶金结合。
The thermal diffusion process produces a durab......
2.绝缘栅型贴片场效应管的检测绝缘栅型贴片场效应管是在一块低掺杂的P型硅片上,通过扩散工艺形成两个相距很近的高掺杂N区,分别作......
通过对CCD片上放大器不同源漏掺杂条件、方块电阻、接触电阻、有效沟道长度的分析研究,确定了源漏工艺条件为磷离子注入能量100keV......
从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响......
本文报导了用镓代替硼铝在高反压管中的应用。产品合格率,优品率均明显高于现行生产工艺。主要电参数已达日本BU208管的水平。实验......
研究成功一种制取Nb_3Sn带的新的扩散方法。把Nb基带复上含Sn30～50w/0的Cu-Sn,在650-750℃的较低温度扩散处理。可以得到致密而均匀......
一前言电阻应变片(计)广泛应用于应变测量和压力传感器与加速度传感器等方面。20世纪60年代以前,测量应变都是使用金属丝式或箔式......
本文研究了扩散温度和扩散时间对部分合金化青铜粉末烧结性能的影响。实验结果表明，随着扩散温度的提高和扩散时间的延长，坯块尺寸变......
利用等离子体增强化学气相沉积(PCVD)法对低硅钢进行了SiCl_4、SiH_4涂层处理,再经高温扩散后制得了高硅钢,使其磁性能大为改善,铁......
采用Ruebig公司的Micropuls－plasma技术可以把扩散工艺和涂复工艺结合起来，即使对于结构很复杂的工件，其表面也要敷上一层过渡层，然后......
在分析 Ｃ Ｖ Ｄ 法渗 Ｓｉ 制备 Ｆｅ６５ ％ Ｓｉ 合金薄板的实际工艺要求基础上，择定了母材的 Ｓｉ含量、扩散温度及气氛浓度·利用计算机模拟研究了在所......
在传统的推杆式连续气体渗碳炉内完成增压或扩散工艺尚未解决,本文介绍一种能提高生产能力的气体控制系统。0 引言 为了达到最短......
一、前言 SiO_2乳胶扩散源的出现,开辟了氧化扩散工艺的新领域,由于它具有一般固态,液态源扩散所没有的一系列优点,可以它的出现......
随着今年的大一新生陆续入学，2019年高考终于落下帷幕。而今年的高考作文像往年一样，在6月份的热搜榜单上一直占领着首位。 2019......
随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断地改善。本文以扩散工艺为例,同时在计算机上采用SUPREM-Ⅲ软件进行扩散初......
我厂生产的3DD15大功率晶体管,是采用铝或硼铝涂层扩散工艺进行深基区扩散.涂层扩散具有工艺操作简便、对设备系统要求较低、投量......
对于延迟时间为1毫微秒以下,并且具有低功耗的高速逻辑电路,在电路设计与工艺方面都要求取最佳的参数。虽然利用埃伯斯-莫尔(Eber......
采用Zn扩散到掺N的n—LPE层内的方法研制了高效率的GaP缘色LED′S(发光二极管)。在8A/cm~2下,封装二极管的平均效率为0.15％在50A/cm......
本文描述了采用分开的工艺过程来形成有源基区和无源基区的一种改进的微波晶体管结构。在这种结构中,由于采用重掺杂的无源基区具......
一、引言 砷、磷两元素对于生命过程都具有积极的作用,如服用少量的砷会刺激生命过程的进行。几乎所有的动植物体内均含有极微量......
本文推荐一种使用光刻形成图形的无机光致抗蚀剂作为扩散源的新掺杂技术。所用的这种抗蚀剂膜是由Se-Ge为基体用施主或受主杂质作......
通过把100毫巴的氮和0.05毫巴的氨的混合气体导入生长管内的办法,使合成溶质扩散(SSD)生长的晶体的氮浓度达到3×10~(17)cm~(-3)。......
本文在实验结果和俄歇能谱分析结果的基础上,分析了Cd在InSb中扩散时,形成表面合金球的因素,探讨了合金球形成机理。从扩散工艺的......
大功率晶体管可以分成高耐压化和大电流化两种。高耐压的晶体管,已有V_CBO在1500伏以上的晶体管制品达到实用化。据日刊《电子材......
