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[期刊论文] 作者：莫金玑,
来源：稀有金属 年份：1994
阐述了ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等高速电子器件的ＭＯＣＶＤ材料的研制现状，对可能存在的问题进行了讨论，同时介绍了硅上外延ＧａＡｓ的新工艺及其在高速电子器件中的应用前景。......
[期刊论文] 作者：莫金玑,倪杰,
来源：上海半导体 年份：1994
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[期刊论文] 作者：莫金玑,管丽民,
来源：稀有金属 年份：1992
目前,SiH_2Cl_2作为优质源材料在外延工艺中的应用日益广泛,可用于沉积多晶硅、无定形硅和氮化硅等,是研制集成电路的一种重要材料。很多研究工作者论述了以含氮原子功...
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
Ｃ作为ＩＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ，根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术生......
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,
来源：半导体学报 年份：2000
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究。首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分......
[会议论文] 作者：公延宁;莫金玑;,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
文本以常压MOCVD（AP-NOCVD）系统为对象、分析了AlCaAs生长过程中控制多数对气相Al组分含量量XAl和固相Al组分含量X之间关系的影响。结果表明，在采用AP-MOCVD系统生长AlCaAs时，在...
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,莫金玑,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1982
——本文概述了近年来Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的外延,特别是有关电外延,金属有机化合物和分子束外延的国内外发展动态及其应用;同时也简要地介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物外延的物理化学....
[期刊论文] 作者：赵彭年,莫金玑,
来源：金属学报 年份：1965
采用气流输运法测定了720,750及780℃时液态纯Sb及Ga-Sb合金中组分Sb的蒸气压。由蒸气压的实验数据和Ga-Sb系的T-X相图构成了Ga-Sb系中Sb蒸气压的P-T图。The vapor pressur...
[期刊论文] 作者：赵彭年,莫金玑,,
来源：科学通报 年份：1963
磷化硼是有希望的高温半导体材料之一。因此,在其制备和半导体性质等方面的研究,吸引了许多研究工作者的注意。而高温时,此化合物的稳定性则很少有人研究。如所周知,磷化物...
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,夏冠群,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ。根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术......
[期刊论文] 作者：莫金玑,管丽民,汪光裕,
来源：稀有金属 年份：1992
目前,SiH_2Cl_2作为优质源材料在外延工艺中的应用日益广泛,可用于沉积多晶硅、无定形硅和氮化硅等,是研制集成电路的一种重要材料。很多研究工作者论述了以含氮原子功能团...
[期刊论文] 作者：莫金玑,郑燕兰,江文达,
来源：稀有金属 年份：2004
用AsCl_3-Ga-H_2体系生长GaAs气相多层外延材料。研究了一些生长参数对缓冲层中Ec-0.82eV深中心密度n_T的影响,讨论有源层和缓冲层之间的界面特性以及有关在微波器件中的应用...
[期刊论文] 作者：莫金玑,郑燕兰,沈德新,
来源：稀有金属 年份：1987
本文采用氯化物法In-Ga-AsCl_3-H_2体系进行InGaAs/InP的异质气相外延研究。对采用In/Ga混合源和铟、镓的独立金属源的外延体系进行了比较。采用尽可能大的In(InAs)面积并降...
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,余海生,夏冠群,
来源：半导体学报 年份：2000
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ 的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分......
[期刊论文] 作者：公延宁,汪乐,莫金玑,夏冠群,
来源：太阳能学报 年份：1999
由p+-GaAs帽层和p-AlxGa1-xAs(x=0@8-0.9)窗口层构成的异质薄膜体系是GaAs太阳电池器件中的常规结构.对该异质结构的只腐蚀GaAs而不腐蚀AlGaAs的选择性腐蚀工艺是GaAs太阳电...
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,余海生,汪乐,夏冠群,
来源：Rare Metals 年份：1999
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