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[学位论文] 作者：易扬波,
来源：东南大学 年份：2009
功率MOS集成电路作为功率集成电路发展的主流，将低压CMOS控制电路、保护监测电路和高压MOS功率器件集成在一起，显著提高整机系统的性能、集成度和稳定性，并降低其成本。功率MOS......
[期刊论文] 作者：赵少峰,易扬波,,
来源：电子器件 年份：2007
利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CMOS器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的进行了大量的模...
[期刊论文] 作者：夏晓娟,易扬波,
来源：微电子学 年份：2006
介绍了一种CMOS基准电压源，该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿，产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言，不需要三极管；另外，通过......
[期刊论文] 作者：张立新,夏晓娟,易扬波,
来源：电子器件 年份：2007
主要介绍了一种新型CMOS基准源电路的设计方法,由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度指数形成温度补偿,同时产生低温度系数的基准电压和基准电流.此基准源电路已经...
[期刊论文] 作者：陶平,易扬波,吴建辉,
来源：现代电子技术 年份：2005
白光LED由于其工作寿命长和能耗低的特点,为无线通讯产品的应用提供了完美的背光方案,其驱动芯片的设计大部分采用电压模式和电流模式两类控制方案.电流控制型白光LED驱动电...
[期刊论文] 作者：孙伟锋,易扬波,陆生礼,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
研究了常规LEDMOS，带有两块多晶硅场极板LEDMOS以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDMOS表面电场分布情况，重点研究了多块场极板在不同的外加电压下，三种LEDMOS的表面峰...
[会议论文] 作者：易扬波,陈国安,夏晓娟,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
介绍了一种带隙基准电压源结构,同时通过结构的改进,达到多个稳定电压输出的特点.根据白光LED驱动芯片所用基准电压源的特点,设计了三个基准电压输出的电路,在0.6μmCMOS...
[会议论文] 作者：陈健,孙伟锋,易扬波,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
在一个交直流转换的开关系统中，能量的损失主要来自这几个方面：功率管的开关损失，内部偏置电路的损失，启动电阻的损失，反馈采样的损失。通过分析在开关集成电路的设计中采取的......
[期刊论文] 作者：彭振雄,易扬波,孙伟锋,
来源：电子工程师 年份：2004
等离子体显示板 (PDP)技术是一种极具前景的主动发光式平板显示技术 ,其驱动技术一直是研究热点之一。文中在介绍PDP驱动系统框架和PDP显示驱动系统中的数字逻辑功能的基础上...
[期刊论文] 作者：孙伟锋,王佳宁,易扬波,
来源：微电子学 年份：2009
基于B．J．Baliga的击穿电压理论，通过求解双边突变圆柱结的泊松方程，提出了单个浮置场限环终端结构的击穿电压解析模型。该模型计算结果与模拟结果的误差在±7％之内，具有精度高......
[会议论文] 作者：易扬波,李维聪,钱钦松,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
文章提出了一种适合于PDP行驱动芯片用的高压SOI NLDMOS器件结构，分析了SOI LDMOS的击穿电压与SOI层厚度、埋氧层厚度的关系，并对器件饱和电流大小和开态耐压进行了优化。经过T...
[期刊论文] 作者：孙伟锋,易扬波,陆生礼,时龙兴,
来源：半导体学报 年份：2006
提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LDMOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业...
[期刊论文] 作者：孙伟锋,俞军军,易扬波,陆生礼,,
来源：微电子学 年份：2006
建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法，并借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici，对截止频率ft与栅源电压Kgs和漏源电压Vds的关系进行了分析；研究了栅氧化层厚度、漂移区...
[期刊论文] 作者：孙智林,孙伟锋,易扬波,陆生礼,
来源：半导体学报 年份：2004
分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响，提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度．模拟结果显示，两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场......
[期刊论文] 作者：孙智林,孙伟锋,易扬波,陆生礼,
来源：微电子学 年份：2004
高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求.结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度分析,详细分析了各参数对击穿电压和导通电...
[期刊论文] 作者：宋慧滨,唐晨,易扬波,孙伟锋,,
来源：半导体技术 年份：2006
在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上，采取一种抗闩锁方法，即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究，利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟......
[期刊论文] 作者：陆生礼,孙伟锋,易扬波,伍玉萍,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体...
[期刊论文] 作者：易扬波,孙伟锋,宋慧滨,唐晨,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象，在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法：在低压部分增加多子保护环，在高低压之间增加少子保护环。借助TCAD软件详细研究了少子...
[期刊论文] 作者：赵野,孙伟锋,易扬波,鲍嘉明,
来源：应用科学学报 年份：2005
基于高压VDMOST的物理机理和特殊结构,详细分析、推导了漂移区电阻、埋层电阻、内部节点电压及内部耗尽层宽度随外加偏压变化而变化的情形;采用数值计算的方法,建立了较精确...
Thermal characteristics investigation of high voltage grounded gate-LDMOS under ESD stress condition
[期刊论文] 作者：孙伟锋,钱钦松,王雯,易扬波,,
来源：半导体学报 年份：2009
The thermal characteristics of high voltage gg-LDMOS under ESD stress conditions are investigated in detail based on the Sentaurus process and device simulators...
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