针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗......

该论文主要对HBT器件物理模型与参数提取、无源元件工艺与建模、InGaP/GaAs HBT器件与电路工艺、MMIC设计以及微波测试进行研究.针......

在采用IC-CAP提取异质结双极晶体管器件的VBIC模型参数的基础上，设计出形式简洁的光调制器驱动电路．电路功耗仅为500mW，在2．5GHz信号下......

Agilent模型的等效电路可以较好地表征器件的物理特性,但是其中的直流和交流表达式较为复杂,鉴于此,文中在Agilent HBT模型等效电......

随着无线通信技术的快速增长，基于Si工艺的半导体器件和集成电路已不能满足其发展需求。SiGe器件凭借其频率特性好、噪声系数低、集......

对VBIC BJT模型用于Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结In......

利用国际先进的2μm InGaP/GaAs HBT工艺加工生产线进行了晶体管芯片的加工,并在器件测试的基础上开展了模型参数的提取.所研究的......