In this article,a high-performance InP/InGaAs metamorphic δ-doped heterojunction bipolar transistor (HBT) grown on low-......

报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率f......

成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4......

InP/InGaAs PIN高速光电探测器是光纤通信系统中的关键器件,同时也是5G规模组网上游发射和接收端的核心部件。伴随着高通信速率以......