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采用高温固相反应法制备了Si4 、Ge4 和Sn4 离子掺杂的LiGa5O8∶Cr3 长余辉材料, 系统研究了掺杂对LiGa5O8∶Cr3 光致发光和长余辉性能的影响。实验结果表明, 所制备的系列材料能产生650~800nm的近红外余辉发射, 主发射峰位于717nm, 来源于Cr3 离子的2E→4A2特征跃迁, 与未进行掺杂的样品相比, 掺杂Si4 、Ge4 和Sn4 离子的LiGa5O8∶Cr3 余辉发光强度均得到增强, 余辉性能显著改善。热释光测试结果表明, Si4 、Ge4 和Sn4 离子掺入主要提高了LiGa5O8∶Cr3 的陷阱浓度, 且使得有效陷阱的数量增加, 从而改善了LiGa5O8∶Cr3 的余辉性能。