【摘 要】
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随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOILDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的纵向电场就会为一个常数,击穿电压会达到最
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096
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随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOILDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的纵向电场就会为一个常数,击穿电压会达到最大值,而这种杂质浓度线性分布的漂移区可以通过热扩散得到.采用这种方法制得的SOILDMOS的纵向击穿电压提高了43%,导通电阻降低了24%,这是因为它的表面浓度更高.
With the variation of SOI layer thickness, the SOILDMOS device has an optimum breakdown voltage when the thickness of SOI layer is 2μm. If the vertical impurity concentration in the drift region is linear, its longitudinal electric field will be a constant, Breakdown voltage will reach the maximum, and this impurity concentration linearly distributed drift region can be obtained by thermal diffusion SOILDMOS prepared by this method of longitudinal breakdown voltage increased by 43%, on-resistance decreased by 24% This is because of its higher surface concentration.
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