【摘 要】
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采用燃烧合成法制备碳化硅(SiC)粉料,调整氢气和氩气体积流量比以及高纯氯化氢气体体积流量,使氮、铝和钒浓度低于二次离子质谱仪的检测下限,硼和钛浓度接近检测下限.使用制
【机 构】
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河北普兴电子科技股份有限公司,石家庄050200;河北省新型半导体材料重点实验室(筹),石家庄050200
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采用燃烧合成法制备碳化硅(SiC)粉料,调整氢气和氩气体积流量比以及高纯氯化氢气体体积流量,使氮、铝和钒浓度低于二次离子质谱仪的检测下限,硼和钛浓度接近检测下限.使用制备的高纯SiC粉料生长单晶,获得电阻率大于1×109 Ω·cm的衬底,粉料达到高纯半绝缘水平.通过研究发现,增加氢气体积流量可以降低粉料中的氮浓度,并使氮浓度低于检测限1×1016 cm-3,但是氢气体积流量过高会加重坩埚损耗,影响坩埚寿命和工艺稳定性;高纯氯化氢气体可以降低粉料中硼、铝、钒和钛的浓度,但其体积流量不宜过大,否则会引入新的氮杂质;粉料的色度a*值与氮浓度呈反比关系,利用分光色差仪测试色度a*值判断粉料氮浓度高低.
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