多晶/单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型

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在考虑了多晶/单晶之间界面氧化层的基础上,本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型,用推导出的标志电荷存储机理的S因子详细分析了发射区渡越时间与多晶/单晶界面参数之间的关系,区分了支配RCA器件和HF器件发射区渡越时间的不同电荷存储机理,得到了有关获得高性能多晶硅发射区双极晶体管的结论. Based on the consideration of the interfacial oxide layer between polycrystalline / single crystal, a new analytical model for the transit time of the emitter region of the bipolar transistor in polycrystalline silicon emitter region is proposed in this paper. The S-factor of the charge storage mechanism is deduced The relationship between the transit time of the emissive region and the polycrystalline / mono-crystalline interfacial parameters is analyzed. Different charge storage mechanisms that dominate the emissive time of the emissive regions of the RCA and HF devices are distinguished. Transistor conclusion.
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