【摘 要】
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计算分析了高能质子与硅材料核反应产生次级粒子的种类、线性能量传输值和射程,仿真研究了低能质子直接电离的能量沉积与单粒子翻转的内在关联;阐述了质子核反应导致单粒子翻转错误率的预估方法,讨论了低能质子直接电离导致单粒子翻转错误率预估面临的问题;针对不同种类的纳米SRAM预估了 3种典型轨道上质子核反应导致的单粒子翻转错误率,研究了轨道环境、太阳活动和器件翻转敏感特性对质子核反应导致的单粒子翻转错误率的影响.
【机 构】
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强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024;西北核技术研究所,西安710024;苏州珂晶达电子有限公司,苏州215000
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计算分析了高能质子与硅材料核反应产生次级粒子的种类、线性能量传输值和射程,仿真研究了低能质子直接电离的能量沉积与单粒子翻转的内在关联;阐述了质子核反应导致单粒子翻转错误率的预估方法,讨论了低能质子直接电离导致单粒子翻转错误率预估面临的问题;针对不同种类的纳米SRAM预估了 3种典型轨道上质子核反应导致的单粒子翻转错误率,研究了轨道环境、太阳活动和器件翻转敏感特性对质子核反应导致的单粒子翻转错误率的影响.
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