【摘 要】
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本文阐述了GaAs中600KeV氧离子注入的绝缘性能、结深,载流子移出分布、电阻率变化等的实验结果。文中附有350KeV氧注入的数据。本文也讨论了GaAs中氧离子注入形成半绝缘层以
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本文阐述了GaAs中600KeV氧离子注入的绝缘性能、结深,载流子移出分布、电阻率变化等的实验结果。文中附有350KeV氧注入的数据。本文也讨论了GaAs中氧离子注入形成半绝缘层以及绝缘特性随温度和注入剂量变化的机理。给出了600KeV氧离子注入在GaAsMESFET和GaASMMIC上的应用结果。
In this paper, the experimental results of the insulation properties, junction depth, carrier-out distribution and resistivity change of 600KeV oxygen ion implantation in GaAs are described. The text attached 350KeV oxygen injection data. This paper also discusses the mechanism by which oxygen ions implanted to form a semi-insulating layer in GaAs and the insulation properties change with temperature and implant dose. The results of 600KeV oxygen ion implantation on GaAsMESFET and GaAsMMIC are given.
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