【摘 要】
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在东京大学的热动力学研究专家 Seri教授和 Kourin助教的鼎力相助下 ,位于日本东京的住友电子工业公司生长出 2英寸单晶 Ga N衬底 ,足以满足蓝光激光器的实用要求。与目前采
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在东京大学的热动力学研究专家 Seri教授和 Kourin助教的鼎力相助下 ,位于日本东京的住友电子工业公司生长出 2英寸单晶 Ga N衬底 ,足以满足蓝光激光器的实用要求。与目前采用的蓝宝石衬底相比 ,Ga N具有如下三个优点 :· Ga N可导电 ,允许电极置于芯片的两侧 (绝缘的蓝宝石衬
At the University of Tokyo thermodynamic research experts Professor Seri and Professor Kourin’s full assistance, Sumitomo Electric Industrial Co., Tokyo, Japan grew 2-inch single crystal Ga N substrate sufficient to meet the practical requirements of blue laser. Compared with the currently used sapphire substrates, Ga N has the following three advantages: • Ga N can conduct electricity, allowing electrodes to be placed on both sides of the chip (insulated sapphire substrate
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