PLD方法沉积ZnO薄膜及其光电性能研究

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【摘要】

：

氧化锌(ZnO)是新一代的Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体材料,具有纤锌矿晶体结构,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,可以实现室温下的受激发射。ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性,并且易于与多种半导体材料实现集成化。因此,ZnO材料具有广泛的应用,可以制成表面声波谐振器,压电器件,透明导电膜以及GaN蓝光薄膜的过渡层等。本文采用PLD方法在不同的沉积温度下,分别在蓝宝石基片、S

【作者】

：

张贺攀

【机构】

：

大连理工大学

【发表日期】

：

2009年05期

【关键词】

：

PLD ZnO薄膜沉积温度电学性质光致荧光

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