【摘 要】
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氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等宽禁带半导体材料是短波长光电子器件、高温和大功率电子器件的重要材料。石墨烯作为二维网状材料,因其表面没有悬挂键,层与层之间是弱相互作用的范德瓦耳斯力,将其用作衬底生长三维材料具有方便剥离易转移的优点。研究氮化镓、氮化铝在石墨烯衬底上的生长,发展易剥离的氮化镓、氮化铝衬底对于生长高质量自支撑氮化物和生产易转移、柔性光电器件具有重要意义。本论文主要研究了石墨烯与Ga
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氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等宽禁带半导体材料是短波长光电子器件、高温和大功率电子器件的重要材料。石墨烯作为二维网状材料,因其表面没有悬挂键,层与层之间是弱相互作用的范德瓦耳斯力,将其用作衬底生长三维材料具有方便剥离易转移的优点。研究氮化镓、氮化铝在石墨烯衬底上的生长,发展易剥离的氮化镓、氮化铝衬底对于生长高质量自支撑氮化物和生产易转移、柔性光电器件具有重要意义。本论文主要研究了石墨烯与GaN、AlN在生长方式上的结合,包括石墨烯的制备以及石墨烯上GaN、AlN的成核。本论文也对石墨烯上GaN
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