【摘 要】
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本文在超高真空(UHV)条件下,用分子束外延(MBE)方法,在Si(111)-7×7重构表面上生长C60分子.对一个单层覆盖度的样品进行退火处理,实现了C60单分子层从无序到有序的转变.研究
【机 构】
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表面物理与化学重点实验室,四川绵阳621907
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本文在超高真空(UHV)条件下,用分子束外延(MBE)方法,在Si(111)-7×7重构表面上生长C60分子.对一个单层覆盖度的样品进行退火处理,实现了C60单分子层从无序到有序的转变.研究了退火温度对有序化程度的影响,并进一步研究了不同有序化程度单分子层的摩擦学性质,结果表明随着有序化程度的增加,单分子层的摩擦力有减小的趋势.随后,本文通过对生长过程中蒸发速率和衬底温度等参数的控制,避免了C60分子多层生长时团聚形成岛状结构,得到了逐层生长的C60多层膜.测定了不同层数C60薄膜的摩擦力曲线,发现分子层数对薄膜的摩擦性质有显著影响,随着沉积层数的增加,样品的摩擦力明显降低,摩擦系数也有降低的趋势.
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