面向嵌入式系统的小型化通信接口IP模块设计

来源 :2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tyzhaoxiqing
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
针对嵌入式系统中多设备之间的通信需求,本文设计实现了抗干扰能力强、模块管脚少、控制方式简单的通信接口模块.主要内容包括:详细制定了模块采用的单线串行通信规则.详细介绍了通信接口IP模块的设计过程.最后使用GSMC0.18的工艺对设计进行流片,获得实际的测试数据.
其他文献
本文研究了差分激励的圆形贴片微带天线特性.腔模理论模型被扩展分析差分激励下的阻抗特性,对比HFSS仿真结果,说明扩展模型的正确性.基于HFSS仿真,比较了差分和单端激励下圆形贴片微带天线的反射,阻抗和辐射特性.比较可知,差分阻抗是单端下的阻抗的四倍,差分天线消除了TM21等模式影响,并从理论上给出了解释,因而有更纯辐射极化特性.
在集成电路工艺中,钼是新型铜互连扩散阻挡层的选择之一.已经发现甘氨酸对钼在碱性双氧水中的腐蚀有抑制作用.本文研究了在碱性双氧水中甘氨酸对钼的电化学行为的影响,并通过拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了表面分析.开路电位(OCP)、恒电位曲线等电化学实验结果与表面分析结果相吻合.结果表明甘氨酸促进了MoO3的溶解,使得氧化层中Mo2O5增多,进而抑制Mo的腐蚀并
近年来,数模转换器的市场呈稳步上升的发展趋势.本文基于R-2R电阻网络的基本结构,设计了一种12位的高精度数模转换器,其采用温度计译码的方法对数模转换器的高位输入进行译码,并内置一种复位时间可调整的片上复位电路.所设计的数模转换器具有结构简单、面积小、功耗低等优点,适用于高密度布局电路及便携式设备和工业控制等方面.
Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) with an atomic-layer-deposited (ALD) SiO2 gate insulator were fabricated and compared with those with a plasma-enhanced chemical vapor deposi
This report presents a 0.18-um 2.4GHz CMOS LNA linearized using active post-distortion (APD).The differential architecture is chosen to provide sufficient common mode rejection ratio.The brief theory
Ultralow dielectric-constant (κ) porous SiCO(H) films were prepared using C7H18O3Si (MTES) and C 10H16 (LIMO) precursors by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and post-deposition anneal
In this paper, the impacts of ionizing radiation on the gate induced floating body effects (GIFEBs) and low-frequency (LF) noise for the 130nm partially depleted silicon-on-insulator (PDSOI) N-type me
The resonant tunneling photodiodes (RTDs) based on an A1GaAs/GaAs double barrier structure with an InGaAs absorption layer have simulated.Photons with the wavelength λ=1.54 μm lead to hole accumulatio
The TFTs with atomic layer deposited ZnO-channe1/Al2O3-dielectric were fabricated under the maximum process temperature of 200 ℃.We compared the influences of annealing temperature and time on the dev
会议
模拟电路的设计重用是提高模拟与混合信号集成电路设计效率的重要途径.本文探讨了在不同工艺之间进行同一结构电路的设计移植,并保持电路性能不变的方法.基本思想是匹配移植前后电路的工作电流和MOS管的小信号跨导gm、输出电导gds,从而保证关键电路性能指标不变.通过求解基于BSIM模型的匹配方程的方法,实现了较为准确的移植.文中以一个Miller补偿两级运算放大器为例,给出了从0.8um工艺到0.35um