汽车工业铝型材搅拌摩擦连接方法研究

来源 :中国科协第五届青年学术年会——陕西卫星会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:galahad55
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对厚度为3 mm的6063铝合全板成功地进行了搅拌摩擦连接.金相组织显示焊核区晶粒由原始母材的扁平状转变为更加细小的等轴状,拉伸强度测试表明热影响区为最薄弱区域,当连接工艺参数选择合适时,结合区强度可达到母材强度的86%,延伸率可达到母材的80%以上,焊接接头的正弯与背弯角均可达到180。
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本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBIC的数据拟合得到不同GaN材料层的少了扩散长度。P区GaN中少子扩散长度为0.1μm左右,N区GaN中少子扩散长度约为0.6μm,非故意掺杂GaN中少子扩散长度大于1μm。通过对同一位置获得的SEM、EBIC、CL图像的比较,发现耗尽
本文综合报道我们近年来将光子晶格结构运用于InGaN/GaN量子阱发光器件即激光器和发光二极管的研究成果。我们发展了几种独特的在GaN系材料系发光器件上制备光子晶格结构的技术;运用电注入器件的显微电致发光以及扫描近场光学,探索了这些光子晶格结构对发光器件的效应。我们利用聚焦离子束刻蚀技术成功地实现了以GaN准一维光子晶体为腔镜面的InGaN/GaN脊型和条形激光二极管;同时,针对发光二极管出光光强
在化合物半导体电子器件中,高电子迁移率晶体管(HEMT)是应用于高频大功率场合最主要的器件形式。基于GaN及相关Ⅲ族氮化物材料(AlN、InN)的HEMT则是目前研究最火热的化合物半导体电子器件,是第三代半导体技术领域发展和竞争的焦点。从输出功率和频率的角度,GaN HEMT非常适合无线通信基站、雷达、汽车电子等高频大功率应用;在航空航天、核工业、军用电子等对化学稳定性和热稳定性要求很高的应用场合
GaN基宽禁带半导体作为第三代半导体材料是目前国际半导体科学与技术研究的前沿,在自旋电子学领域的研究也正受到越来越多的重视。本文利用自旋光电流效应(CPGE)对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的自旋性质进行了研究,主要包括该体系中CPGE的物理机制,对称破却引起的能带Rashba自旋分裂以及由逆自旋霍尔效应(RSHE)形成的涡旋状反常CPGE电流。
通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程,可以得到沿c轴生长的AlxGa1-xN/GaN异质结中的导带底的形状,同时得出电子分布以及所有束缚态。我们发现电子占据前两个子带并且得到可观的第一、二了带Rashba自旋劈裂(在费米能级处)。我们研究了Rashba自旋劈裂随Al组分变化关系,并且讨论了电子对第二子带的战据对第一子带Rashba劈裂的影响。结果表明,Rashba自旋劈裂随Al组分增加很快,说明由压电
蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm。激光器的腔长为800μm,沿蓝宝石的(1-100)方向解理形成腔面。激光器的阈值电流和阈值电压分别为1.2A和10.5V,阈值电流密度为3.75KA/cm2。激光器的激射波长为405nm。室温脉冲电流下最大输出功率可达到2.6W。分析了n型串联电阻和载流子的侧向扩展
基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED),以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)被制备出来。通过研究发现,经过激光剥离过程后,器件的反向漏电流明显的增加了。相应的,其等效并联电阻下降了近2个数量级。通过对变温Ⅰ-Ⅴ曲线的分析。反向偏压下隧穿漏电机制的主导地位被发现并证实,而激光剥离前后样品腐蚀后的AFM照片显示缺陷密度没有明显改变,因
本文报道了一种新的利用侧向湿法腐蚀AlInN牺牲层技术制备GaN微腔的方法。我们采用金属有机化学气相外延(MOCVD)技术在监宝石和自支撑的GaN衬底上生长一层100nm的AlInN牺牲层,再生长180nm的GaN层,利用湿法腐蚀GaN和AlInN合金具有高的选择比的特性,通过侧向湿法腐蚀AlInN层实现衬底剥离。同时结合干法刻蚀技术以及绝缘体介质材料沉积技术成功制备出了直径为501am,上下为双
为了消除InP/InGaAs DHBT BC之间的导带势垒尖峰,抑制电流阻挡效应,我们设计了一种含InGaAsP复合式集电区结构的InP DHBT。利用传统三台面工艺和BCB平坦化工艺,制作的发射极尺寸1.6×15μm2的DHBT,其电流增益截止频率(ft)达到了242GHz,击穿电压(BVceo)超过5V。最大电流密度达到了2.1mA/μm2,这是国内已知的电流增益截止频率最高的HBT器件。这种
搅拌摩擦焊是一种新型固相连接技术,其研究受到世界各国科学工作者的广泛重视,本文论述了有限元模拟在搅拌摩擦焊中的应用及发展,并对搅拌摩擦焊数值模拟的发展现状、存在的问题以及今后的研究方向提出了看法.