【摘 要】
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使用金属有机物气相外延方法,在蓝宝石(0001)衬底上生长高性能InAlN/GaN异质结并制备了异质结场效应晶体管.利用原子力显微镜和Hall 测试等方法研究了InAlN/GaN异质结材
【机 构】
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专用集成电路重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
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使用金属有机物气相外延方法,在蓝宝石(0001)衬底上生长高性能InAlN/GaN异质结并制备了异质结场效应晶体管.利用原子力显微镜和Hall 测试等方法研究了InAlN/GaN异质结材料特性.研究表明材料表面原子台阶平整有序,室温最大Hall 迁移率达到1930cm2/V？s,为目前世界报道结果最高纪录.对制备出的异质结场效应晶体管器件进行小信号测试,在栅长0.2μm 下,实现截止频率ft 达到69GHz,说明了InAlN/GaN 异质结材料良好的应用前景.
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