【摘 要】
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用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2.2×10cm,相应的电子迁移率为221cm/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7arcmin;AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为1086cm/Vs,相应的电子气面密度为
【机 构】
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中国科学院半导体所材料中心(北京)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2.2×10<18>cm<-3>,相应的电子迁移率为221cm<2>/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7arcmin;AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为1086cm<2>/Vs,相应的电子气面密度为8.0×10<12>cm<-2>.
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