【摘 要】
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AlGaN/GaN HEMT作为一种新材料、新结构器件是目前微电子领域的一个研究热点,国内在材料和器件研制方面都取得了一定进展.本文介绍分析了传统的平面式、台面式和作为功率、开关器件应用的四种AlGaN/GaN HEMT结构,得出深亚微米栅条的制备是限制器件性能的主要因素之一.与此同时,针对细栅和大源漏,提出用电子束和光学曝光相结合的混合光刻技术实现AlGaN/GaN HEMT制备,并探讨了采用这
【机 构】
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中国科学院微电子中心微细加工及纳米技术研究室(北京)
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
论文部分内容阅读
AlGaN/GaN HEMT作为一种新材料、新结构器件是目前微电子领域的一个研究热点,国内在材料和器件研制方面都取得了一定进展.本文介绍分析了传统的平面式、台面式和作为功率、开关器件应用的四种AlGaN/GaN HEMT结构,得出深亚微米栅条的制备是限制器件性能的主要因素之一.与此同时,针对细栅和大源漏,提出用电子束和光学曝光相结合的混合光刻技术实现AlGaN/GaN HEMT制备,并探讨了采用这种方法的关键工艺流程.此方法可以保证精度、大大提高效率,其应用情况有待于进一步验证.
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