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为了研究缺口特征对磁记忆信号的影响，提取不同缺口试件在不同载荷下的法向漏磁场值Hp(y)和固定点磁场值；对双关联缺口试件进行仿真，研究了双关联缺口试件内部应力分布及固定点处磁场值与应力的关系；将试验与仿真结果进行对比。结果表明：半圆形缺口比V形缺口试件更具有潜在的危险；双关联缺口中心处的磁场值大小近似为单个缺口相应位置磁场值叠加的结果；用法向分量漏磁场Hp(y)和梯度值k(y)评价双关联缺口应力集中程度并不再适用。