《计算机网络》课程教学改革探讨

来源 :中国电子学会第十五届信息论学术年会暨第一届全国网络编码学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aaxiongaa
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本文基于《计算机网络》课程的教学经验,从教学内容、教学流程、教学方法等方面分析了现行《计算机网络》课程教学过程中存在的问题,提出了相应的解决方案,并将其应用于教学实践中,取得了较好的教学效果。
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确定了微机械气流式全方位水平姿态传感器敏感元件中热敏电阻的最佳位置为d=900μm处(d为两两相对的检测热敏电阻之间的距离).采用有限元方法,通过建立敏感元件的三维模型计算了热敏电阻在不同的位置、不同倾斜状态下,敏感元件内温度场和流场的分布.计算结果表明:(1)当d改变时,温度场和流场都发生变化.(2)两两相对的检测热敏电阻处气流速度之差△v与倾角关系曲线也随d发生变化.这为该传感器的优化设计开辟
采用有限元方法,解释了微机械气流式全方位水平姿态传感器的敏感机理.通过建立敏感元件的三维模型,计算了敏感元件内气流速度在不同倾斜状态下的分布.结果表明:(1)热源周围两两相对的热敏电阻处的气流速度之差随着倾斜角度的变化而改变.(2)随着倾斜角度的增加,两热敏电阻处的气流速度之差加大,漉过两热敏电阻的电流之差加大,电桥失去平衡,输出一个与倾斜角度相对应的电压.有限元计算方法为该传感器的优化设计开辟了
混合集成电路通用规范(GJB2438A-2002)规定军用(H级)宇航用(K级)产品的例试试验都必须包含芯片剪切强度试验,微电子器件实验方法和程序(GJB548A)方法2019A具体规定了芯片剪切强度要求,针对器件剪切试验时竖立组装电容器及叠层组装电容器,剪切力数据离散性大,失效率很高的问题,本文通过对剪切设备,剪切方法,电容器组装方式进行一系列的试验分析,最终提出针对此类电容器剪切的较好方法.
混合集成电路存在的多余物可以分为可动多余物和不可动多余物两个类别.文中阐述了多余物产生的来源以及确定可动多余物存在的两种方法,介绍了金属封装混合集成电路的封装结构以及如何采用开盖法,开洞灌注法、盖板开孔法这三种提取多余物的方法,并对各种方法的使用特点进行了分析,详细说明了用盖板开孔法提取可动多余物的过程.
概述了电化学电容器工作原理及发展,主要介绍了利用高比表面积多孔活性炭作极化电极和用贱金属网作集电极制备电化学电容器一体带状电极,通过卷绕形式组装电容器,介绍了其电性能的测试方法,并对其电化学特性进行分析.
采用传统的烧结工艺,制备了添加不同MgO·Li2O·SiO2玻璃(后文简写为MLS)含量的钨青铜结构BaO·Nd3O3·4TiO2陶瓷(后文简写为BNT(114)),并且研究了MgLiSi玻璃组分对BNT(114)陶瓷瓷科的烧结温度、显徽结构、晶粒形态、介电常数以及耐压强度的影响.结果表明:在BRT(114)瓷料中添加适量的MLS玻璃,可以使BNT(114)陶瓷的致密烧结温度从1250℃以上降低到
采用传统陶瓷烧结工艺,制备了(Na0.5K0.5-xLix)NbO3(x-0.057-0.066)无铅压电陶瓷.Li+取代K+可以明显提高样品的居里温度(Tc),添加适量Li陶瓷样品的压电常数d33高达202-212 pc/N,平面机电耦合系数为44.4%-46.8%,介质损耗低于2.6%.(Na0.5K0.5-Lix)NbO3(x-0.057-0.066)样品的居里温度高达490-510℃,比(
本文用传统烧结工艺,制备了无铅压电陶瓷材料(Na0.5K0.5)0.975Li0.025Nb0.9-xSb0.07TaxO3(x=0.17,0.18,0.19,0.20),研究了该材料的压电、介电性能随x的变化关系,实验发现,当x=0.18在1110℃条件下烧结的陶瓷,其压电常数d33高达330pc/N,介电损耗tgδ=1.9%,机电耦合系数Kp=47.4%、k=36.3%,是一种极具应用潜力的无
用传统的固相反应法制备了无铅压电陶瓷(Na0.48-xK0.48-xLi0.04Srx)Nb0.89,Ta0.05Sb0.06O3(简写为NKLSrxNST),并且研究了其结构和性能.X射线衍射图谱表明x≤0.02时为四方相钙钛矿结构,x≥0.03时开始向赝立方相转变,并且有少量杂相(四方钨青铜结构的KSr2Nb5O15,)出现.介电研究表明Sr的引入降低了居里温度,并且诱发了立方-四方相变的弥散
SNMP提供了一种系统地管理计算机网络的方法,AgentX框架在一定程度上解决了SNMP管理模型的不足。本文基于SNMP和AgentX框架,实现了一种服务器监控系统,能够远程、实时监控分布在不同网段的服务器。本系统解决了SNMP的多版本、Trap漏报等缺陷带来的问题,能够对支持英特尔AMT技术的服务器进行关机监控等更加强大的管理。