【摘 要】
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本文以SiO(方石英和石英)作为绝缘的高膨胀性基体材料,并以石墨、MoSi作为导电性粒子,经1150~1350℃烧结3h制得高膨胀陶瓷-导电陶瓷复合材料.研究结果表明,当导电相的含量在某个特定的范围内时,其室温电阻率发生急剧的变化,变化程度达4~6个数量级.其中当SiO为方石英相时,陶瓷复合材料在240℃左右具有PTC效应,其PTC效应的突跃达2~3个数量级;当SiO为石英相时,陶瓷复合材料在58
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本文以SiO<,2>(方石英和石英)作为绝缘的高膨胀性基体材料,并以石墨、MoSi<,2>作为导电性粒子,经1150~1350℃烧结3h制得高膨胀陶瓷-导电陶瓷复合材料.研究结果表明,当导电相的含量在某个特定的范围内时,其室温电阻率发生急剧的变化,变化程度达4~6个数量级.其中当SiO<,2>为方石英相时,陶瓷复合材料在240℃左右具有PTC效应,其PTC效应的突跃达2~3个数量级;当SiO<,2>为石英相时,陶瓷复合材料在580℃左右具有PTC效应,其PTC效应的突跃达1~2个数量级.
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